Labortagebuch Dezember 2010

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15.12.10: Innenleben eines Passiv-IR-Sensors



Diesen Sensor wollte ich öffnen, um die Filterscheibe herauszunehmen. Das Ziel war, den Sensor als Bolometer für Leistungsmessungen in einem weiten Spektralbereich einzusetzen. Leider wurde der Sensor beim Öffnen beschädigt. Aber jetzt kann man gut sehen, wie er aufgebaut ist. Eingebaut ist ein Feldeffekttransistor ähnlich wie in einem Elektret-Mikrofon. Darüber war eine teilweise metallisierte Keramikscheibe angebracht, die jetzt zerbrochen ist. Durch kleine Temperaturunterschiede wird eine Spannung erzeugt und vom FET verstärkt. Das Prinzip habe ich schon mal in der ELO (Infrarotsensor im Eigenbau) beschrieben. Hinter der Gehäuseöffnung war eine Filterscheibe angebracht, die nur die passende Wellenlänge im Bereich um 10 µm durchlassen sollte. Hier sieht man links die Sensorscheibe und rechts einen Teil der Filterscheibe.



8.12.10 Dual-Gate-MOSFET BF1009SW



Diesen Transistor habe ich mir bei Pollin mitbestellt - weil er so preiswert war. Spannend finde ich die automatische Vorspannung am Gate 1 und die hohe Steilheit von 24 mS. Beim ersten Test hatte ich allerdings Probleme. Längeres Probieren förderte eine andere Pinorientierung als im Datenblatt zu Tage. Danach aber konnten die guten Werte bestätigt werden. Die G1-Vorspannung wird anscheinend automatisch auf ca. 1 V eingestellt, deshalb kan man ein Signal einfach mit einem Kondensator einkoppeln.



Inzwischen ist mir klar geworden, dass die Transistoren eine Sonderform des BF1009 sind. Die Anschlüsse sind sozusagen nach oben umgebogen. Deshalb sind die Pinne links und rechts vertauscht. Das SW im Typennamen soll dies wohl andeuten.




Jetzt, wo ich weiß, dass man die beiden letzten Buchstabe nicht ignorieren darf, habe ich noch mal nach einen Datenblatt gesucht. Und darin hat sich die gefundene Pinbelegung bestätigt.




Zur Vorspannungserzeugung im BF1009SW von Andreas Gröger



Download: bf1009sw_beobachtungen.pdf

Das Ergebnis genauer Messungen ist, dass im BF1009SW eine negative Vorspannung am Gate 1 erzeugt wird, die von der G2-Spannung abhängt. Das Bauteil ist deshalb nicht für Mischer geeignet, sondern nur für HF-Vorverstärker.





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