Sinusoszillator mit einem MOSFET
Im nächsten Versuch soll der Oszillator mit
einem MOSFET BS170 aufgebaut werden. In der Simulation wird der vergleichbare
Transistor BSP89 verwendet, weil für den BS170 kein Spice-Modell
vorhanden war.
Am Drain entsteht eine deutlich verzerrte Sinusschwingung mit großer Amplitude. Ein Test im realen Aufbau zeigt, dass die Amplitudenbegrenzung mit einer oder zwei Dioden auch hier funktioniert. Es gibt aber auch noch eine andere Möglichkeit, an einen sauberen Sinus zu gelangen. Das Signal wird einfach am dritten RC-Tiefpass, also am Gate abgenommen. Das ist deshalb bei einem FET sinnvoll, weil er mit einer höheren Steuerspannung arbeitet als der bipolare Transistor.
Die Signalspannung am Gate
Am Ausgang erkennt man eine Signalamplitude
von ca. 100 mV bzw. eine Spannung von 200 mVss. Das Signal sieht sehr
verzerrungsarm aus. Allerdings darf der Oszillator an dieser Stelle kaum
belastet werden, weil hier eine hohe Impedanz vorliegt. Der Anschluss einer
externen Last kann die Schwingungen abreißen lassen. Für den praktischen Test
wurde der Ausgang daher am Drain angeschlossen. Die Klangfarbe
unterscheidet sich deutlich von einem reinen Sinuston, weil am Drain noch
erhebliche Verzerrungen auftreten.
